公式
本章复习
直流电路 欧姆定律 功率换算
电磁感应与磁路 磁电转换规律
单相交流电路 电压 电流有效值与最大值
三相交流电路 相电压线电压相电流 线电流
电子技术常识 二极管 三极管
本征激发:在热激发一产生自由电子和空穴对的现象,多子和少子
杂质半导体:人为掺入某种杂质
磷:非常容易产生电子 N型半导体
硼 P型半导体 空穴
PN结:护散 漂移 形成PN结
正偏
P区接高电位,N区接低电位
利用:二极管 整流 稳压
光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升
发光二极管
晶体三极管 电流放大,发射结正向偏,集电结反向偏
半导体
本征半导体,纯净的,不含杂质的半导体。
杂质半导体
p型半导体N型半导体
二极管
半波整流 全波整流
稳压二极管
光电二极管
晶体三极管 具有电流放大作用
晶闸管
电阻率小于10的负4次方的物质称为导体;
电阻率大于10的12次方的物质称为绝缘体。
介于导体和绝缘体之间的是本征半导体:锗、锗
本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴
杂质半导体:在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体 磷(N型) 硼(P型)
二极管伏安特性 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V
导通压降:硅管0.6-0.7V,锗管0.2-0.3V
晶体管具有电流放大的作用 发射结正向偏置、集电结反向偏置
电子技术常识
半导体
电阻率小于-10000欧的物质称为导体
电阻率大于10的十二次方称为绝缘体
电阻率在两者之间称为半导体
本征半导体是指纯净不含杂质的
常用的:鍺和硅
半导体在热激发(加热、光照、及射线照射)下产生自由电子和空穴对的现象
杂质半导体
加入磷 形成N型半导体
加入硼形成P型半导体
PN结:自建电场阻止扩散,加强漂移
正偏:P区接高电位,N区接低电位
半导体二极管:PN结上加上外壳和引线
二极管伏安特性:死区电压/导通压降
硅管:0.5V/0.7V
锗管:0.2V/.03V
加反向电压太大时会击穿
应用:半波整流
全波/桥式整流
稳压二极管:电流可以有很大变化,电压变化很小
光电二极管:反向电流随光照强度的增加而上升
发光二极管:真想电流时,发特定的光
晶体三极管
PNP型和NPN型
晶体管具有电流放大作用
发射结正偏,集电结反偏
晶闸管:阳极、阴极、门极
必须在三个极之间加上电压才能导通
对电路起控制作用,也叫可控硅
集成放大运算器
反相输入比例运算电路
同相输入比例运算电路
电压跟随器
模拟信号:时间和数值上连续的信号
数字信号:在时间和数值上不连续的(离散)
信号
组合逻辑电路
与门逻辑电路
或门逻辑电路
非门
时序逻辑电路:有逻辑关系有记忆功能
d w
逻辑电路:
高电位表示为数字“1”
低电位表示为数字“0”
与门逻辑电路真值表。必须两个条件都满足才能实现。
或门逻辑电路,有一个条件满足就能实现。
非门逻辑电路,两个条件必须相反才可实现。
二极管,伏安特性
死区电压为0.5(硅管),0.2(锗管)
作用:稳压,整流。
光电二极管;
发光二极管(广泛应用于节能灯)
晶体管作用:电流放大,满足条件为(发射极正偏,集电极反偏)
共发射极放大电路
晶闸管(可控硅),三级组成,阴极、阳极、门极。
想让其工作必须三极上都加上正向电压。
1.本征半导体:纯净的不含杂质的半导体。
2.载流子:自由电子+空穴对 多子+少子
3.死区电压:硅管0.5V 锗管:0.2V
导通压降:Si 0.7v Ge 0.3v
4.三极管作用:电流放大
集电极 发射极
5.集成运算放大器应用:
a.反相输入比例运算电路
b.同相输入比例器
c.电压跟随器
-4导,12绝缘
(•̀ω•́)✧本征半导体锗硅
自由电子
空穴
载流子包括自由自由电子和空穴杂质半导体磷硼N型P型
反向输入比例运算电路
电压跟随器
数字电路模拟信号:在时间上和数值
组合逻辑电路
逻辑0和1电子的;电路中用高
获得高、低电平的基本方法;
或门 非门(反向器)
时序逻辑电路
组合逻辑电路
与门逻辑
AB都满足 则下一步
A B F
1 1 1
或门AB一种满足则进行下一步
非门(反向器)
时序逻辑电路有记忆性功能,输入与输出有明确的时间顺序关系
半导体
二极管
光电二极管,发光二极管
三极管
导体 10的4次方
绝缘体
绝缘体 10的12次方